STMicroelectronics IGBT STGWA30HP65FB2 Typ N-kanálový 50 A 650 V, AŽ-247 LL, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1
- Skladové číslo RS:
- 201-4418
- Výrobní číslo:
- STGWA30HP65FB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
289,29 Kč
(bez DPH)
350,04 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 415 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 57,858 Kč | 289,29 Kč |
| 50 - 120 | 54,774 Kč | 273,87 Kč |
| 125 + | 51,97 Kč | 259,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 201-4418
- Výrobní číslo:
- STGWA30HP65FB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 50A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Typ balení | AŽ-247 LL | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.1V | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±30 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 15.9mm | |
| Výška | 5.1mm | |
| Řada | STG | |
| Šířka | 21.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 50A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Typ balení AŽ-247 LL | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.1V | ||
Maximální napětí brány VGEO ±30 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 15.9mm | ||
Výška 5.1mm | ||
Řada STG | ||
Šířka 21.1mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Souprava STMicroelectronics Trench gate Field-stop, 650 v, 30 A, vysokorychlostní IGBT řady HB2 v a TO-247 Long svodů, má kladný teplotní koeficient VCE(SAT).
Minimalizovaný zbytkový proud
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics AŽ-247 LL, počet kolíků: 3 kolíkový 1 Průchozí
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT STGWA20HP65FB2 Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový 1
- STMicroelectronics IGBT STGW80H65DFB Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT STGWA40H65DFB2 Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový 1
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT STGW40H65DFB Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor