STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT STGWA30M65DF2AG 87 A 650 V, AŽ-247 LL, počet kolíků: 3 kolíkový 1 Průchozí
- Skladové číslo RS:
- 330-470
- Výrobní číslo:
- STGWA30M65DF2AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
64,96 Kč
(bez DPH)
78,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 600 jednotka(y) budou odesílané od 11. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 64,96 Kč |
| 10 - 99 | 59,77 Kč |
| 100 - 499 | 58,29 Kč |
| 500 - 999 | 56,81 Kč |
| 1000 + | 55,33 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 330-470
- Výrobní číslo:
- STGWA30M65DF2AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 87A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Počet tranzistorů | 1 | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 441W | |
| Typ balení | AŽ-247 LL | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 19.92mm | |
| Výška | 21mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 87A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Počet tranzistorů 1 | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 441W | ||
Typ balení AŽ-247 LL | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 19.92mm | ||
Výška 21mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výjimka
- Země původu (Country of Origin):
- CN
IGBT společnosti STMicroelectronics vyvinutý s použitím pokročilé patentované struktury s příkopovým hradlem. Zařízení je součástí řady IGBT řady M, která představuje optimální rovnováhu mezi výkonem a účinností měničového systému, kde je nezbytná funkce s nízkými ztrátami a zkratem.
Těsné rozdělení parametrů
Nízký tepelný odpor
Měkká a velmi rychle se zotavující antiparalelní dioda
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT STGWA30HP65FB2 Typ N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics IGBT STGWA80H65DFBAG 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT STGWA20HP65FB2 Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový 1
- STMicroelectronics IGBT STGW80H65DFB Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT STGWA40H65DFB2 Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový 1