IGBT STGWA50M65DF2AG N-kanálový 119 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

2 731,08 Kč

(bez DPH)

3 304,62 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 29. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 +91,036 Kč2 731,08 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
215-008
Výrobní číslo:
STGWA50M65DF2AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

119 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

576 W

Počet tranzistorů

1

Konfigurace

Jednoduché

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Země původu (Country of Origin):
CN
IGBT společnosti STMicroelectronics vyvinutý s použitím pokročilé patentované struktury s příkopovým hradlem. Zařízení je součástí řady IGBT řady M, která představuje optimální rovnováhu mezi výkonem a účinností měničového systému, kde je nezbytná funkce s nízkými ztrátami a zkratem. Kladný teplotní koeficient VCE(sat) a těsné rozložení parametrů navíc vedou k bezpečnějšímu paralelnímu provozu.

Minimalizovaný zadní proud
Těsné rozdělení parametrů
Bezpečnější paralelní zapojení

Související odkazy