Infineon, standard: AEC-Q101 Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT AIGW40N65H5XKSA1 74 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 215-6609
- Výrobní číslo:
- AIGW40N65H5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
263,80 Kč
(bez DPH)
319,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 160 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 131,90 Kč | 263,80 Kč |
| 10 - 18 | 120,04 Kč | 240,08 Kč |
| 20 - 48 | 112,14 Kč | 224,28 Kč |
| 50 - 98 | 103,985 Kč | 207,97 Kč |
| 100 + | 96,33 Kč | 192,66 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-6609
- Výrobní číslo:
- AIGW40N65H5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 74A | |
| Typ produktu | Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±30 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.66V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | High Speed Fifth Generation | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 74A | ||
Typ produktu Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±30 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.66V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada High Speed Fifth Generation | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon vysokorychlostní H5 technologie izolované-gate bipolární tranzistor nabízí nejlepší ve své třídě účinnost v tvrdé přepínání a rezonanční topologie.
Vysoká účinnost
Nízké ztráty spínání
Vyšší spolehlivost
Nízká elektromagnetická interference
Související odkazy
- Infineon TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65EH5ATMA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65EF5ATMA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKW75N65RH5XKSA1 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKW30N65EL5XKSA1 Typ N-kanálový 85 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW30N65R5XKSA1 Typ N-kanálový 60 A 650 V počet kolíků: 3