Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65EH5ATMA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

181,30 Kč

(bez DPH)

219,38 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 12. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 1890,65 Kč181,30 Kč
20 - 4881,755 Kč163,51 Kč
50 - 9876,20 Kč152,40 Kč
100 - 19870,64 Kč141,28 Kč
200 +66,075 Kč132,15 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
215-6653
Výrobní číslo:
IKB40N65EH5ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

74A

Typ produktu

Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

333W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.65V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Řada

High Speed Fifth Generation

Automobilový standard

Ne

Infineon vysokorychlostní spínací izolované-gate bipolární tranzistor nabitý plným jmenovitým proudem Rapid 1 antiparalelní dioda.

Vysoká účinnost

Nízké ztráty spínání

Vyšší spolehlivost

Nízká elektromagnetická interference

Související odkazy