Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65EF5ATMA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

186,24 Kč

(bez DPH)

225,36 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 976 jednotka(y) budou odesílané od 05. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 893,12 Kč186,24 Kč
10 - 1883,855 Kč167,71 Kč
20 - 4878,30 Kč156,60 Kč
50 - 9872,62 Kč145,24 Kč
100 +68,05 Kč136,10 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
215-6651
Výrobní číslo:
IKB40N65EF5ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

74A

Typ produktu

Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.6V

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

High Speed Fifth Generation

Normy/schválení

JEDEC47/20/22

Automobilový standard

Ne

Infineon vysokorychlostní rychlé přepínání izolované-gate bipolární tranzistor s plným proudem hodnocené Rapid 1 rychlé a měkké antiparalelní diody.

Vysoká účinnost

Nízké ztráty spínání

Vyšší spolehlivost

Nízká elektromagnetická interference

Související odkazy