Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65ES5ATMA1 Typ N-kanálový 79 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 215-6655
- Výrobní číslo:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
229,96 Kč
(bez DPH)
278,26 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 254 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 114,98 Kč | 229,96 Kč |
| 20 - 48 | 97,81 Kč | 195,62 Kč |
| 50 - 98 | 92,01 Kč | 184,02 Kč |
| 100 - 198 | 85,215 Kč | 170,43 Kč |
| 200 + | 79,285 Kč | 158,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-6655
- Výrobní číslo:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 79A | |
| Typ produktu | Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 230W | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±30 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.35V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Řada | High Speed Fifth Generation | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 79A | ||
Typ produktu Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 230W | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±30 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.35V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Řada High Speed Fifth Generation | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon vysokorychlostní spínací série páté generace izolované brány bipolární tranzistor.
Vysoká účinnost
Nízké ztráty spínání
Vyšší spolehlivost
Nízká elektromagnetická interference
Související odkazy
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 79 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65EF5ATMA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB15N65EH5ATMA1 Typ N-kanálový 30 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 28 A 650 V, TO-220
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKP28N65ES5XKSA1 28 A 650 V, TO-220
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 30 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový