Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65ES5ATMA1 Typ N-kanálový 79 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

174,88 Kč

(bez DPH)

211,60 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 4 256 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 1887,44 Kč174,88 Kč
20 - 4874,345 Kč148,69 Kč
50 - 9869,90 Kč139,80 Kč
100 - 19864,715 Kč129,43 Kč
200 +60,27 Kč120,54 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
215-6655
Výrobní číslo:
IKB40N65ES5ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

79A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

230W

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.35V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Řada

High Speed Fifth Generation

Automobilový standard

Ne

Infineon vysokorychlostní spínací série páté generace izolované brány bipolární tranzistor.

Vysoká účinnost

Nízké ztráty spínání

Vyšší spolehlivost

Nízká elektromagnetická interference

Související odkazy