Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB15N65EH5ATMA1 Typ N-kanálový 30 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

315,67 Kč

(bez DPH)

381,96 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 920 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2063,134 Kč315,67 Kč
25 - 4556,86 Kč284,30 Kč
50 - 12053,056 Kč265,28 Kč
125 - 24549,252 Kč246,26 Kč
250 +45,448 Kč227,24 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
215-6648
Výrobní číslo:
IKB15N65EH5ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

30A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

105W

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.65V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

JEDEC47/20/22

Řada

High Speed Fifth Generation

Automobilový standard

Ne

Infineon vysokorychlostní spínací izolované-gate bipolární tranzistor nabitý plným jmenovitým proudem Rapid 1 antiparalelní dioda má také 650 v poruchové napětí.

Vysoká účinnost

Nízké ztráty spínání

Vyšší spolehlivost

Nízká elektromagnetická interference

Související odkazy