Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB15N65EH5ATMA1 N-kanálový 30 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 215-6648
- Výrobní číslo:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*
394,21 Kč
(bez DPH)
477,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 920 jednotka(y) budou odesílané od 28. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 78,842 Kč | 394,21 Kč |
| 25 - 45 | 71,038 Kč | 355,19 Kč |
| 50 - 120 | 66,294 Kč | 331,47 Kč |
| 125 - 245 | 61,552 Kč | 307,76 Kč |
| 250 + | 56,81 Kč | 284,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-6648
- Výrobní číslo:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 30A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 105W | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±30 V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.65V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | High Speed Fifth Generation | |
| Normy/schválení | JEDEC47/20/22 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 30A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 105W | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO ±30 V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.65V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada High Speed Fifth Generation | ||
Normy/schválení JEDEC47/20/22 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon vysokorychlostní spínací izolované-gate bipolární tranzistor nabitý plným jmenovitým proudem Rapid 1 antiparalelní dioda má také 650 v poruchové napětí.
Vysoká účinnost
Nízké ztráty spínání
Vyšší spolehlivost
Nízká elektromagnetická interference
Související odkazy
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 30 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 28 A 650 V, TO-220
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65ES5ATMA1 Typ N-kanálový 79 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65EF5ATMA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKP28N65ES5XKSA1 28 A 650 V, TO-220
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 79 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový