MPN

IGBT IKB15N65EH5ATMA1 30 A 650 V, PG-TO263-3, počet kolíků: 3

Skladové číslo RS:: 215-6648
Výrobní číslo:: IKB15N65EH5ATMA1
Výrobce:: Infineon

IGBT IKB15N65EH5ATMA1 30 A 650 V, PG-TO263-3, počet kolíků: 3

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

315,67 Kč

(bez DPH)

381,96 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Ks	za jednotku	za balení*
5 - 20	63,134 Kč	315,67 Kč
25 - 45	56,86 Kč	284,30 Kč
50 - 120	53,056 Kč	265,28 Kč
125 - 245	49,252 Kč	246,26 Kč
250 +	45,448 Kč	227,24 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 215-6648
Výrobní číslo:: IKB15N65EH5ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru	30 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru	650 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor	±20 V, ±30 V
	Maximální ztrátový výkon	105 W
	Typ balení	PG-TO263-3
	Počet kolíků	3

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru 30 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru 650 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20 V, ±30 V
	Maximální ztrátový výkon 105 W
	Typ balení PG-TO263-3
	Počet kolíků 3

Datasheet-IKB15N65EH5ATMA1

Infineon vysokorychlostní spínací izolované-gate bipolární tranzistor nabitý plným jmenovitým proudem Rapid 1 antiparalelní dioda má také 650 v poruchové napětí.

Vysoká účinnost
Nízké ztráty spínání
Vyšší spolehlivost
Nízká elektromagnetická interference

IGBT IKB15N65EH5ATMA1 30 A 650 V, PG-TO263-3, počet kolíků: 3

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Související odkazy