Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 30 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

23 024,00 Kč

(bez DPH)

27 859,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 12. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
1000 +23,024 Kč23 024,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
215-6647
Výrobní číslo:
IKB15N65EH5ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

30A

Typ produktu

Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

105W

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.65V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

High Speed Fifth Generation

Normy/schválení

JEDEC47/20/22

Automobilový standard

Ne

Infineon vysokorychlostní spínací izolované-gate bipolární tranzistor nabitý plným jmenovitým proudem Rapid 1 antiparalelní dioda má také 650 v poruchové napětí.

Vysoká účinnost

Nízké ztráty spínání

Vyšší spolehlivost

Nízká elektromagnetická interference

Související odkazy