Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW30N65R5XKSA1 Typ N-kanálový 60 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 215-6639
- Výrobní číslo:
- IHW30N65R5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
449,29 Kč
(bez DPH)
543,64 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 255 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 89,858 Kč | 449,29 Kč |
| 25 - 45 | 79,978 Kč | 399,89 Kč |
| 50 - 120 | 75,484 Kč | 377,42 Kč |
| 125 - 245 | 70,05 Kč | 350,25 Kč |
| 250 + | 64,714 Kč | 323,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-6639
- Výrobní číslo:
- IHW30N65R5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 60A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 176W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.7V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 5.21mm | |
| Délka | 42mm | |
| Řada | Resonant Switching | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 60A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 176W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.7V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 5.21mm | ||
Délka 42mm | ||
Řada Resonant Switching | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon rezonanční spínací série reverzní vedení izolované-gate bipolární tranzistor s monolitickou tělní diodou.
Vysoká účinnost
Nízké ztráty spínání
Vyšší spolehlivost
Nízká elektromagnetická interference
Související odkazy
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 60 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKW75N65RH5XKSA1 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 28 A 650 V, TO-220
- Infineon TO-247, počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKW30N65EL5XKSA1 Typ N-kanálový 85 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65EH5ATMA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon TO-247, počet kolíků: 3