řada: DMT6016LSS MOSFET DMT6016LSS-13 N-kanálový 11.9 A 60 V DiodesZetex, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 921-1177
- Výrobní číslo:
- DMT6016LSS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
343,82 Kč
(bez DPH)
416,02 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 35 920 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 + | 17,191 Kč | 343,82 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 921-1177
- Výrobní číslo:
- DMT6016LSS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Řada | DMT6016LSS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 28mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.1W | |
| Přímé napětí Vf | 0.7V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.5mm | |
| Šířka | 3.95mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 4.95mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOIC | ||
Řada DMT6016LSS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 28mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.1W | ||
Přímé napětí Vf 0.7V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.5mm | ||
Šířka 3.95mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 4.95mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- řada: DMT6016LSS MOSFET N-kanálový 11.9 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET DMHC4035LSDQ-13 Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMN3018SSD-13 N-kanálový 8.7 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1 Jednoduchý
- MOSFET DMC4050SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC6070LSD-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC4035LSD-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMC4040SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMT68M8LSS-13 N-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení