MOSFET DMN3018SSD-13 Typ N-kanálový 8.7 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 790-4592
- Výrobní číslo:
- DMN3018SSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
228,425 Kč
(bez DPH)
276,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 + | 9,137 Kč | 228,43 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 790-4592
- Výrobní číslo:
- DMN3018SSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 30mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.5W | |
| Minimální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální provozní teplota | -55°C | |
| Šířka | 3.95 mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | |
| Délka | 4.95mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 30mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.5W | ||
Minimální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální provozní teplota -55°C | ||
Šířka 3.95 mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | ||
Délka 4.95mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 8.7 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1 Jednoduchý
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 8.7 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET DMC4040SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC6070LSD-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMC4050SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC4035LSDQ-13 Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC4035LSD-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- Výkonový MOSFET DMP3085LSD-13 Typ P-kanálový 3.1 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2