řada: SiR870ADP MOSFET SIR870ADP-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 100 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 919-4242
- Výrobní číslo:
- SIR870ADP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
73 716,00 Kč
(bez DPH)
89 196,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 24,572 Kč | 73 716,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 919-4242
- Výrobní číslo:
- SIR870ADP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | SiR870ADP | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 53.5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 104W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.12mm | |
| Šířka | 5.26mm | |
| Délka | 6.25mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada SiR870ADP | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 53.5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 104W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.12mm | ||
Šířka 5.26mm | ||
Délka 6.25mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: SiR870ADP MOSFET SIR870ADP-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR870ADP MOSFET Typ N-kanálový 60 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SI MOSFET SI4190BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 17 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SI MOSFET SI4848BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 5 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 45.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiRA74DP MOSFET Typ N-kanálový 81.2 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 13.6 A -30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení