řada: HEXFETMOSFET IRF9393TRPBF P-kanálový 9,2 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 915-4989P
- Výrobní číslo:
- IRF9393TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet 100 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
940,80 Kč
(bez DPH)
1 138,40 Kč
(s DPH)
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 100 - 380 | 9,408 Kč |
| 400 - 980 | 8,294 Kč |
| 1000 + | 7,192 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 915-4989P
- Výrobní číslo:
- IRF9393TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | P | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 9,2 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 30 V | |
| Series | HEXFET | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 32.5 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 2.4V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon | 2,5 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -25 V, +25 V | |
| Šířka | 4mm | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Délka | 5mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 14 nC při -15 V | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Propustné napětí diody | 1.2V | |
| Výška | 1.5mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu P | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 9,2 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V | ||
Series HEXFET | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 32.5 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.4V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon 2,5 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -25 V, +25 V | ||
Šířka 4mm | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Délka 5mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 14 nC při -15 V | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Propustné napětí diody 1.2V | ||
Výška 1.5mm | ||
Související odkazy
- řada: HEXFETMOSFET IRF9393TRPBF P-kanálový 9 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF9328TRPBF P-kanálový 12 A 30 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF6216PBF P-kanálový 2 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF7201TRPBF N-kanálový 7 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRL6342TRPBF N-kanálový 9 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRL6342PBF N-kanálový 9 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRLML5103GTRPBF P-kanálový 760 mA 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRLMS6702TRPBF P-kanálový 2 Micro6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si