řada: HEXFETMOSFET IRF9393TRPBF P-kanálový 9,2 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Značka

Infineon

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9,2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Typ balení

SOIC

Series

HEXFET

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

32.5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Maximální ztrátový výkon

2,5 W

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-25 V, +25 V

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

14 nC při -15 V

Délka

5mm

Počet prvků na čip

1

Šířka

4mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Minimální provozní teplota

-55 °C

Výška

1.5mm