MPN

řada: HEXFETMOSFET IRLMS6702TRPBF P-kanálový 2,4 A 20 V, Micro6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	2,4 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	20 V
	Series	HEXFET
	Typ balení	Micro6
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor kolektor/zdroj	375 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	0.7V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	0.7V
	Maximální ztrátový výkon	1,7 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-12 V, +12 V
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Počet prvků na čip	1
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	1.75mm
	Délka	3mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	5,8 nC při 4,5 V
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	1.3mm

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 2,4 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 20 V
	Series HEXFET
	Typ balení Micro6
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor kolektor/zdroj 375 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 0.7V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 0.7V
	Maximální ztrátový výkon 1,7 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -12 V, +12 V
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Počet prvků na čip 1
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 1.75mm
	Délka 3mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 5,8 nC při 4,5 V
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 1.3mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.