MPN

řada: HEXFETMOSFET IRF9328TRPBF P-kanálový 12 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	12 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	30 V
	Series	HEXFET
	Typ balení	SOIC
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor kolektor/zdroj	19,7 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2.4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1.3V
	Maximální ztrátový výkon	2,5 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Délka	5mm
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Materiál tranzistoru	Si
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	18 nC při 4,5 V, 35 nC při 10 V
	Šířka	4mm
	Počet prvků na čip	1
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	1.5mm

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 12 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V
	Series HEXFET
	Typ balení SOIC
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor kolektor/zdroj 19,7 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1.3V
	Maximální ztrátový výkon 2,5 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Délka 5mm
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Materiál tranzistoru Si
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 18 nC při 4,5 V, 35 nC při 10 V
	Šířka 4mm
	Počet prvků na čip 1
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 1.5mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.