řada: HEXFETMOSFET IRLML5103GTRPBF P-kanálový 760 mA 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 165-5478
- Výrobní číslo:
- IRLML5103GTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 165-5478
- Výrobní číslo:
- IRLML5103GTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | P | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 760 mA | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 30 V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Series | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 600 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 1V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon | 540 mW | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 3,4 nC při 10 V | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Délka | 3.04mm | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Výška | 1.02mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu P | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 760 mA | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Series HEXFET | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 600 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 1V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V | ||
Maximální ztrátový výkon 540 mW | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 3,4 nC při 10 V | ||
Šířka 1.4mm | ||
Délka 3.04mm | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 1.02mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Související odkazy
- řada: HEXFETMOSFET IRF9540NSPBF P-kanálový 23 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRFB23N15DPBF N-kanálový 23 A 150 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 760 mA 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFETMOSFET IRF9393TRPBF P-kanálový 9 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF6216PBF P-kanálový 2 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF9328TRPBF P-kanálový 12 A 30 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRLMS6702TRPBF P-kanálový 2 Micro6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
- řada: HEXFET MOSFET IRLML5103TRPBF Typ P-kanálový 760 mA 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení