řada: HEXFETMOSFET IRLML5103GTRPBF P-kanálový 760 mA 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Nedostupné
Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.
Skladové číslo RS:
165-5478
Výrobní číslo:
IRLML5103GTRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

760 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Typ balení

SOT-23

Series

HEXFET

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

600 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

540 mW

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Délka

3.04mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Šířka

1.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

3,4 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Výška

1.02mm

Minimální provozní teplota

-55 °C

Země původu (Country of Origin):
CN

Napájecí MOSFET s kanálem P 30V, Infineon


Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.


Tranzistory MOSFET, Infineon


Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy