řada: OptiMOS 5 MOSFET IPD025N06NATMA1 N-kanálový 90 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 906-4485
- Výrobní číslo:
- IPD025N06NATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 4 kusech)*
321,352 Kč
(bez DPH)
388,836 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 6 160 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 4 + | 80,338 Kč | 321,35 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 906-4485
- Výrobní číslo:
- IPD025N06NATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 90A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | OptiMOS 5 | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 71nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 2.41mm | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada OptiMOS 5 | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 71nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 2.41mm | ||
Šířka 6.22mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
MOSFET Infineon OptiMOS řady 5, maximální zdrojové napětí vypouštění 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 90 A – IPD025N06NATMA1
Tento n-kanálový vylepšovací MOSFET je výkonový tranzistor navržený pro povrchovou montáž elektroniky vyžadující robustní spínání a vedení při úrovních středního napětí. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je určen pro aplikace s vysokým proudem, kde jsou vyžadovány nízké ztráty při vedení a mírný pohon hradla. Zařízení je dodáváno v pouzdru TO-252 vhodném pro automatizovanou montáž na hustě obsazené desky.
Charakteristiky a výhody:
• Rds(on) 3.8 mΩ snižuje ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 90 A podporuje přepínání při vysoké zátěži
• Jmenovité napětí mezi odvodem a zdrojem 60 V umožňuje konstrukce se středním napětím
• Typické náboje hradla 71 nC minimalizuje požadavky na energii pohonu
• Maximální ztrátový výkon 167 W umožňuje zvládání vyššího výkonu
• Limit hradla-zdroje 20 V umožňuje robustní rozpětí pohonu hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 90 A podporuje přepínání při vysoké zátěži
• Jmenovité napětí mezi odvodem a zdrojem 60 V umožňuje konstrukce se středním napětím
• Typické náboje hradla 71 nC minimalizuje požadavky na energii pohonu
• Maximální ztrátový výkon 167 W umožňuje zvládání vyššího výkonu
• Limit hradla-zdroje 20 V umožňuje robustní rozpětí pohonu hradla
Aplikace
• Vhodné pro synchronní snižovací měniče v napájecích zdrojích
• Ideální pro poloviční můstky pohonu motoru v průmyslových ovladačích
• Používá se se systémy řízení baterií vyžadující vysoký proud
• Lze použít pro převod DC/DC v telekomunikačních zařízeních
• Vhodné pro výkonové stupně v serverové nebo úložné elektronice
• Ideální pro poloviční můstky pohonu motoru v průmyslových ovladačích
• Používá se se systémy řízení baterií vyžadující vysoký proud
• Lze použít pro převod DC/DC v telekomunikačních zařízeních
• Vhodné pro výkonové stupně v serverové nebo úložné elektronice
Jakému rozsahu teplot odolává během provozu?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C a je vhodný pro nepříznivá tepelná prostředí.
Jak je baleno pro montáž a chlazení?
Součást je dodávána v pouzdru pro povrchovou montáž TO-252 (DPAK) určeném pro montáž pájených desek a přenos tepla do chladicích ploch.
Jaké úvahy o pohonu hradla je třeba vzít v úvahu?
Napětí hradla-zdroje nesmí překročit 20 V
obvody pohonu by měly mít takovou velikost, aby poskytovaly typický náboj hradla 71 nC pro požadované spínací rychlosti.
Jakým způsobem ovlivňuje jeho typ kanálu spínací chování?
Jako zařízení pro vylepšení N-kanálu vyžaduje kladné napětí hradla pro vedení, což zajišťuje nízký odpor při zapnutí pro efektivní vysoké proudové cesty.
Související odkazy
- řada: OptiMOS 5 MOSFET N-kanálový 90 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-T2 MOSFET N-kanálový 90 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-T2 MOSFET IPD90N06S4L03ATMA2 Typ N-kanálový 90 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení