řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 50 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 223-8517
Výrobní číslo:: IPD50N06S409ATMA2
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 50 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

20 332,50 Kč

(bez DPH)

24 602,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

17 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	8,133 Kč	20 332,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 223-8517
Výrobní číslo:: IPD50N06S409ATMA2
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	50A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	TO-252
	Řada	OptiMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	9mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	17nC
	Přímé napětí Vf	950mV
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	71W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení TO-252
	Řada OptiMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 9mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 17nC
	Přímé napětí Vf 950mV
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 71W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPD50N06S409ATMA2

MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální zdrojové napětí vypouštění 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 50 A – IPD50N06S409ATMA2

Tento MOSFET je zařízení pro povrchovou montáž s N-kanálem navržené pro řízení napájení v elektronických systémech vyžadujících vysoký proud a střední napětí. Pracuje v širokém rozsahu teplot vhodných pro náročné tepelné prostředí a je určen pro použití tam, kde je vyžadováno efektivní spínání a správa napájení.

Charakteristiky a výhody:

• Nízký odpor při zapnutí snižuje ztráty při vedení při provozu s vysokým proudem
• Vysoká schopnost nepřetržitého vypouštění podporuje trvalé proudy 50 A
• Jmenovité napětí 60 V umožňuje výkonové stupně středního napětí
• Rozptýlení výkonu 71 W umožňuje zvládnout zvýšenou tepelnou zátěž
• Typický náboj hradla 17 nC umožňuje relativně rychlé přepínání
• Tolerance hradla 20 V umožňuje vyšší napětí hradla

Aplikace

• Vhodné pro spínací stupně synchronního snižovacího měniče
• Ideální pro výkonové stupně motorů a pohonů v průmyslových řídicích jednotkách
• Používá se se systémy řízení baterií vyžadující vysoký proud
• Lze použít pro převod napájení DC/DC v telekomunikačních zařízeních
• Vhodné pro moduly rozvodu napájení na sestavách pro povrchovou montáž

Jaký je povolený rozsah pohonu hradla zařízení?

Hradlo lze pohánět napětím až 20 V mezi hradlem a zdrojem bez překročení limitu napětí hradla.

Jak tepelný rozsah ovlivňuje nasazení v náročných prostředích?

Zůstává provozní v rozsahu -55 °C až 175 °C, takže může fungovat v aplikacích s širokým teplotním rozsahem, kde se vyskytují extrémní teploty.

Jaký způsob balení a montáže používá při montáži?

Dodává se v pouzdru TO-252 navrženém pro montáž na povrch na sestavy.

Jaká vodivost ukazuje účinnost v zapnutém stavu?

Maximální odpor odběru a zdroje 9 mΩ minimalizuje pokles napětí a vodivé ztráty při vysokých proudech.

Jak přímé napětí ovlivňuje nízkonapěťové napájecí stupně?

přímé napětí 0,95 V omezuje další pokles napětí napříč zařízením během vedení, což pomáhá efektivitě.