řada: OptiMOS 5 MOSFET N-kanálový 90 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 178-7369
Výrobní číslo:: IPD025N06NATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS 5 MOSFET N-kanálový 90 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

51 230,00 Kč

(bez DPH)

61 987,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 5 000 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	20,492 Kč	51 230,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 178-7369
Výrobní číslo:: IPD025N06NATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	90A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	TO-252
	Řada	OptiMOS 5
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	3.8mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	167W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	71nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Délka	6.73mm
	Výška	2.41mm
	Normy/schválení	No
	Šířka	6.22mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení TO-252
	Řada OptiMOS 5
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 3.8mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 167W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 71nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Délka 6.73mm
	Výška 2.41mm
	Normy/schválení No
	Šířka 6.22mm
	Automobilový standard Ne

IPD025N06N OptiMOS Power-Transistor

Výjimka

MOSFET Infineon OptiMOS řady 5, maximální zdrojové napětí vypouštění 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 90 A – IPD025N06NATMA1

Tento n-kanálový vylepšovací MOSFET je výkonový tranzistor navržený pro povrchovou montáž elektroniky vyžadující robustní spínání a vedení při úrovních středního napětí. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je určen pro aplikace s vysokým proudem, kde jsou vyžadovány nízké ztráty při vedení a mírný pohon hradla. Zařízení je dodáváno v pouzdru TO-252 vhodném pro automatizovanou montáž na hustě obsazené desky.

Charakteristiky a výhody:

• Rds(on) 3.8 mΩ snižuje ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 90 A podporuje přepínání při vysoké zátěži
• Jmenovité napětí mezi odvodem a zdrojem 60 V umožňuje konstrukce se středním napětím
• Typické náboje hradla 71 nC minimalizuje požadavky na energii pohonu
• Maximální ztrátový výkon 167 W umožňuje zvládání vyššího výkonu
• Limit hradla-zdroje 20 V umožňuje robustní rozpětí pohonu hradla

Aplikace

• Vhodné pro synchronní snižovací měniče v napájecích zdrojích
• Ideální pro poloviční můstky pohonu motoru v průmyslových ovladačích
• Používá se se systémy řízení baterií vyžadující vysoký proud
• Lze použít pro převod DC/DC v telekomunikačních zařízeních
• Vhodné pro výkonové stupně v serverové nebo úložné elektronice

Jakému rozsahu teplot odolává během provozu?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C a je vhodný pro nepříznivá tepelná prostředí.

Jak je baleno pro montáž a chlazení?

Součást je dodávána v pouzdru pro povrchovou montáž TO-252 (DPAK) určeném pro montáž pájených desek a přenos tepla do chladicích ploch.

Jaké úvahy o pohonu hradla je třeba vzít v úvahu?

Napětí hradla-zdroje nesmí překročit 20 V

obvody pohonu by měly mít takovou velikost, aby poskytovaly typický náboj hradla 71 nC pro požadované spínací rychlosti.

Jakým způsobem ovlivňuje jeho typ kanálu spínací chování?

Jako zařízení pro vylepšení N-kanálu vyžaduje kladné napětí hradla pro vedení, což zajišťuje nízký odpor při zapnutí pro efektivní vysoké proudové cesty.