AEC-Q101, řada: OptiMOS-T2 MOSFET N-kanálový 90 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 218-3054
Výrobní číslo:: IPD90N10S4L06ATMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: OptiMOS-T2 MOSFET N-kanálový 90 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

48 610,00 Kč

(bez DPH)

58 817,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

2 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	19,444 Kč	48 610,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 218-3054
Výrobní číslo:: IPD90N10S4L06ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	90A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	TO-252
	Řada	OptiMOS-T2
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	6.6mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	136W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	75nC
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	16V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Výška	2.41mm
	Šířka	6.22mm
	Normy/schválení	No
	Délka	6.73mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení TO-252
	Řada OptiMOS-T2
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 6.6mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 136W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 75nC
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Výška 2.41mm
	Šířka 6.22mm
	Normy/schválení No
	Délka 6.73mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD90N10S4L06ATMA1

Tranzistor MOSFET Infineon řady OptiMOS-T2, maximální zdrojové napětí vypouštění 100 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 90 A – IPD90N10S4L06ATMA1

Tento MOSFET je vysokoproudové N-kanálové vylepšovací zařízení navržené pro napájecí spínání v náročných prostředích, včetně automobilových aplikací. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je určen pro sestavy PCB pro povrchovou montáž, kde je vyžadován robustní tepelný a elektrický výkon.

Charakteristiky a výhody:

• Maximální napětí mezi vypouštěním a zdrojem 100 V umožňuje spínání při vysokém napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 90 A podporuje vysoké proudové zatížení
• Nízké hodnoty Rds(on) 6,6 mΩ snižují ztráty při vedení během provozu
• Typické nabití hradla 75 nC umožňuje řízené přepínání
• Maximální ztrátový výkon 136 W pomáhá řídit teplotu při zátěži
• Maximální napětí zdroje hradla 16 V umožňuje standardní napětí pohonu hradla

Aplikace

• Vhodné pro výkonové stupně v automobilových elektronických řídicích jednotkách
• Ideální pro měniče DC/DC vyžadující velké proudy
• Používá se s obvody pohonu motoru vyžadujícími nízké ztráty při vodivosti
• Lze použít pro systémy řízení a distribuce baterií
• Vhodné pro montáž na povrch na kompaktní napájecí desky

Jaký rozsah teplot může tolerovat při provozu?

Funguje v širokém rozsahu okolních teplot od -55 °C do 175 °C.

Jaké pouzdro a typ montáže jsou k dispozici pro montáž PCB?

Zařízení je dodáváno v pouzdru TO-252 pro povrchovou montáž.

Kolik elektrických připojení poskytuje obvodu?

Je vybaven třemi kolíky pro připojení hradla, vypouštění a zdroje.

Který typ kanálu a režim určuje jeho vodivé chování?

Používá kanál typu N pracující v režimu zesílení.

Jaké jsou jeho fyzické rozměry?

Pouzdro má rozměry 6,73 x 6,22 x 2,41 mm pro účely uspořádání desky.