AEC-Q101, řada: OptiMOS-T2 MOSFET Typ N-kanálový 50 A 40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 166-1132
- Výrobní číslo:
- IPD50N04S408ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
16 485,00 Kč
(bez DPH)
19 947,50 Kč
(s DPH)
Přidejte 2500 jednotky/-ek pro dopravu zdarma
Skladem
- 2 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 6,594 Kč | 16 485,00 Kč |
| 5000 + | 6,265 Kč | 15 662,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 166-1132
- Výrobní číslo:
- IPD50N04S408ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 50A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | OptiMOS-T2 | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7.9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 46W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.3mm | |
| Šířka | 6.22 mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada OptiMOS-T2 | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7.9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 46W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.3mm | ||
Šířka 6.22 mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Nelze použít
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS™ T2 - výkonové tranzistory MOSFET
Infineon má novou řadu energeticky úsporných tranzistorů MOSFET s redukcí CO2 a elektrickými jednotkami. Nová produktová řada OptiMOS™ -T2 rozšiřuje stávající řady produktů OptiMOS™ -T a OptiMOS™.
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro AEC
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení