AEC-Q101, řada: OptiMOS P MOSFET BSL308PEH6327XTSA1 Typ P-kanálový 2 A 30 V, TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon

Skladové číslo RS:: 892-2172
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-44-410
Výrobní číslo:: BSL308PEH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: OptiMOS P MOSFET BSL308PEH6327XTSA1 Typ P-kanálový 2 A 30 V, TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon

Mezisoučet (1 balení po 40 kusech)*

371,28 Kč

(bez DPH)

449,24 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 5 760 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
40 +	9,282 Kč	371,28 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 892-2172
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-44-410
Výrobní číslo:: BSL308PEH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	2A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Řada	OptiMOS P
	Typ balení	TSOP
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	130mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	-0.8V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	-5nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	500mW
	Maximální provozní teplota	150°C
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Normy/schválení	No
	Délka	2.9mm
	Šířka	1.6mm
	Výška	1mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Řada OptiMOS P
	Typ balení TSOP
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 130mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf -0.8V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs -5nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 500mW
	Maximální provozní teplota 150°C
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Normy/schválení No
	Délka 2.9mm
	Šířka 1.6mm
	Výška 1mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard AEC-Q101

MOSFET Infineon OptiMOS řady P, napětí zdroje vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 2 A – BSL308PEH6327XTSA1

Tento MOSFET je tranzistor pro zesílení P-kanálu určený pro aplikace pro povrchovou montáž v automobilové a průmyslové elektronice. Poskytuje funkci spínaných zařízení pro prostředí s vysokými teplotami a je dodáván v kompaktním 6kolíkovém pouzdru TSOP se dvěma prvky na jednom čipu, který je vhodný pro sestavy obvodů s omezeným prostorem.

Charakteristiky a výhody:

• Nízký odpor při zapnutí 130 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Jmenovité napětí zdroje 30 V umožňující použití 30V systému
• Možnost nepřetržitého vypouštění proudu 2 A podporuje mírné zatížení
• Typické náboje hradla -5 nC při Vgs pro rychlejší spínací odezvu
• Rozptýlení výkonu 500 mW umožňuje spolehlivou tepelnou manipulaci
• Certifikace AEC-Q101 pro výkon v automobilovém průmyslu

Aplikace

• Vhodné pro vysokoteplotní automobilové napájecí spínače
• Ideální pro přepínání zátěže v systémech řízení akumulátoru
• Používá se s měničem DC/DC vyžadujícím zařízení s P-kanálem
• Lze použít pro dvoukanálové obvody s ochranou proti polaritě
• Vhodné pro kompaktní rozvodné desky pro povrchovou montáž

Jaké limity napětí hradla je třeba dodržovat pro bezpečný provoz?

Napětí mezi bránou a zdrojem nesmí překročit 20 V v žádné polaritě, aby se zabránilo namáhání zařízení.

Kolik tranzistorů je na čipu a co to umožňuje?

K dispozici jsou dva prvky P-kanálu na čip, což umožňuje párové spínání nebo zjednodušené dvoukanálové uspořádání.

Jaký rozsah okolních teplot může zařízení během provozu odolat?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C pro aplikace s vysokými teplotami spojení.

Jak balení ovlivňuje umístění a směrování desky?

6kolíkové povrchové pouzdro TSOP minimalizuje půdorys desky a zjednodušuje tepelné a signální vedení pro kompaktní konstrukce.