AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET Typ P, Typ N-kanálový 1.5 A 20 V, TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení 2

Skladové číslo RS:: 166-1086
Výrobní číslo:: BSL215CH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET Typ P, Typ N-kanálový 1.5 A 20 V, TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení 2

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

12 894,00 Kč

(bez DPH)

15 603,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 15 000 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	4,298 Kč	12 894,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 166-1086
Výrobní číslo:: BSL215CH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P, Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	1.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds	20V
	Typ balení	TSOP
	Řada	OptiMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	280mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	500mW
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	3nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	12V
	Přímé napětí Vf	0.8V
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	2.9mm
	Výška	1mm
	Normy/schválení	No
	Šířka	1.6mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P, Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds 20V
	Typ balení TSOP
	Řada OptiMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 280mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 500mW
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 3nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V
	Přímé napětí Vf 0.8V
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 2.9mm
	Výška 1mm
	Normy/schválení No
	Šířka 1.6mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):: MY

MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální zdrojové napětí vypouštění 20 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 1,5 A – BSL215CH6327XTSA1

Tento MOSFET je kompaktní výkonové tranzistorové zařízení pro povrchovou montáž určené pro spínání a zesilování v automobilovém a průmyslovém kontextu. Obsahuje párované tranzistorové prvky v izolované konfiguraci pro podporu doplňkových aplikací, kde je vyžadován provoz P-kanálu i N-kanálu. Tato součást je přizpůsobena pro použití na deskách plošných spojů, kde je důležitá malá velikost a spolehlivost specifická pro dané odvětví.

Charakteristiky a výhody:

• Nízký náboj hradla 3 nC umožňuje rychlejší spínání
• Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 1,5 A podporuje obvody se středním zatížením
• Odpor kanálu-zdroje 280 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Jmenovité napětí 20 V pro nízkonapěťové systémy
• Rozptýlení výkonu 500 mW umožňuje zvládnout tepelnou zátěž v kompaktních provedeních
• Certifikace AEC-Q101 pro vyšší odolnost vůči namáhání v automobilovém průmyslu

Aplikace

• Vhodné pro spínání a řídicí obvody automobilových signálů
• Používá se se správou baterií a moduly rozvodu napájení
• Ideální pro kompaktní měniče DC/DC a regulátory napětí
• Lze použít pro přepínání zátěže v informačních a zábavních podsystémech
• Vhodné pro vestavěné stupně budiče pro řízení motoru

V jakém teplotním rozsahu může spolehlivě fungovat?

Pracuje v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití od studeného startu až po vysoké teploty pod kapotu.

Kolik tranzistorových prvků je na čipu k dispozici?

Zařízení obsahuje dva prvky na čip uspořádané v izolované konfiguraci pro flexibilní topologie obvodů.

Pro jaké pouzdro a počet kolíků by měli konstruktéři plánovat?

Dodává se v pouzdru TSOP se šesti kolíky pro povrchovou montáž a plánování uspořádání.

Jaké limity napětí hradla-zdroje a propustného napětí musí být dodrženy?

Maximální napětí hradla-zdroje je 12 V a propustné napětí je 0,8 V pro účely vodivosti diody.