AEC-Q101, řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 80 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

20 918,00 Kč

(bez DPH)

25 311,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 13. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
1000 - 100020,918 Kč20 918,00 Kč
2000 +19,872 Kč19 872,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
165-5705
Výrobní číslo:
IPB80P04P407ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

80A

Maximální napětí na zdroji Vds

40V

Řada

OptiMOS P

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

7.7mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

88W

Přímé napětí Vf

-1V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

68nC

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

4.4mm

Normy/schválení

No

Délka

10mm

Šířka

9.25 mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Nelze použít

Země původu (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory


Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.

Režim rozšíření

Lavinová funkčnost

Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu

Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS

Standardní balení

Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.

Tranzistory MOSFET, Infineon


Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy