AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 6 A 650 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-3000
- Výrobní číslo:
- IPB65R660CFDAATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
93,61 Kč
(bez DPH)
113,268 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 996 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 46,805 Kč | 93,61 Kč |
| 50 - 98 | 39,025 Kč | 78,05 Kč |
| 100 - 248 | 31,00 Kč | 62,00 Kč |
| 250 - 498 | 28,775 Kč | 57,55 Kč |
| 500 + | 25,935 Kč | 51,87 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-3000
- Výrobní číslo:
- IPB65R660CFDAATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.66Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 62.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.66Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 62.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon 650V cool MOS CFDA super junction MOSFET je druhá generace předních na trhu kvalifikovaných vysokonapěťových cool MOS power MOSFET od společnosti Infineon. Kromě dobře známých atributů vysoké kvality a spolehlivosti vyžadovaných automatickým
Snížený vzhled EMI a snadná konstrukce
Lepší účinnost lehkého zatížení
Nižší spínací ztráty
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení