AEC-Q101, řada: OptiMOS Pole MOSFET Typ P, Typ N-kanálový 2.3 A 30 V, TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-4334
- Výrobní číslo:
- BSL308CH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
12 408,00 Kč
(bez DPH)
15 015,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 9 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 4,136 Kč | 12 408,00 Kč |
| 6000 + | 4,032 Kč | 12 096,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4334
- Výrobní číslo:
- BSL308CH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Typ produktu | Pole MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TSOP | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 57mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | -5nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.6W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Výška | 1mm | |
| Délka | 2.9mm | |
| Normy/schválení | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Typ produktu Pole MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TSOP | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 57mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs -5nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.6W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Výška 1mm | ||
Délka 2.9mm | ||
Normy/schválení IEC61249-2-21, RoHS | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Tento Infineon Optima P3 + OptMOS 2 MOSFET- n-kanál a p-kanál napájení MOSFET v rámci stejného balíčku je vysoce efektivní řešení pro výrobu energie (např. solární mikroměnič), napájení (např. server a telekomunikace) a spotřebu energie (např. elektrické vozidlo). To je Avalanche hodnocení
Je 100% bezolovnaté a vyhovuje směrnici RoHS
Související odkazy
- AEC-Q101 Typ N-kanálový 2.3 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q101 Typ N-kanálový 1.5 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení 2
- AEC-Q101 TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 2.3 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2
- AEC-Q101 Typ N-kanálový 1.5 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový
- MOSFET Typ P-kanálový 5.5 A Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení