AEC-Q101, řada: OptiMOS Pole MOSFET BSL308CH6327XTSA1 Typ P, Typ N-kanálový 2.3 A 30 V, TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 214-4334
- Výrobní číslo:
- BSL308CH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 6000 kusů a ušetřete 624,00 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
12 408,00 Kč
(bez DPH)
15 015,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 9 000 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 4,136 Kč | 12 408,00 Kč | - |
| 6000 + | 4,032 Kč | 12 096,00 Kč | 624,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4334
- Výrobní číslo:
- BSL308CH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Typ produktu | Pole MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TSOP | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 57mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | -5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.6W | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Šířka | 1.6mm | |
| Výška | 1mm | |
| Délka | 2.9mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Typ produktu Pole MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TSOP | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 57mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs -5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.6W | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení IEC61249-2-21, RoHS | ||
Šířka 1.6mm | ||
Výška 1mm | ||
Délka 2.9mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Pole MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 2,3 A – BSL308CH6327XTSA1
Toto pole MOSFET poskytuje párové tranzistory s P-kanálem a N-kanálem v kompaktním pouzdru pro povrchovou montáž pro spínání a řízení napájení v automobilové a průmyslové elektronice. Dodává se ve 6kolíkovém formátu TSOP navrženém pro integraci na úrovni desky a provoz v širokém rozsahu prostředí, podporuje typické chování nabíjení hradla vhodné pro rychlé spínací úkoly.
Charakteristiky a výhody:
• Nízké hodnoty Rds(on) 57 mΩ snižují ztráty při vedení a tvorbu tepla
• Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 2,3 A umožňuje zvládání mírné zátěže
• Maximální hodnota Vds 30 V podporuje architektury 30 V
• Maximální napětí zdroje hradla 20 V chrání integritu hradla při přechodových jevech
• Proudové napětí 1,1 V zlepšuje účinnost v diodových vedeních
• Jmenovité hodnoty až 150 °C umožňují spolehlivý provoz při vysokých teplotách spoje
• Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 2,3 A umožňuje zvládání mírné zátěže
• Maximální hodnota Vds 30 V podporuje architektury 30 V
• Maximální napětí zdroje hradla 20 V chrání integritu hradla při přechodových jevech
• Proudové napětí 1,1 V zlepšuje účinnost v diodových vedeních
• Jmenovité hodnoty až 150 °C umožňují spolehlivý provoz při vysokých teplotách spoje
Aplikace
• Vhodné pro řídicí moduly automobilové karoserie vyžadující shodu s normou AEC
• Ideální pro spínací stupně měničů DC/DC s vysokou hustotou
• Používá se s obvody pro správu baterií ve vozidlech a zařízeních
• Lze použít pro spínání budiče motoru na nízké nebo vysoké straně
• Vhodné pro kompaktní rozvod napájení na deskách plošných spojů pro povrchovou montáž
• Ideální pro spínací stupně měničů DC/DC s vysokou hustotou
• Používá se s obvody pro správu baterií ve vozidlech a zařízeních
• Lze použít pro spínání budiče motoru na nízké nebo vysoké straně
• Vhodné pro kompaktní rozvod napájení na deskách plošných spojů pro povrchovou montáž
Jaký typ montáže je vyžadován pro montáž desky?
Jedná se o zařízení pro povrchovou montáž v 6kolíkovém pouzdru TSOP určeném pro pájení přetavením do standardních vzorů na PCB.
Jak se chová při extrémních teplotách?
Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu -55 °C až maximálně 150 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích.
Existují samostatné tranzistorové prvky na čip?
K dispozici je jeden prvek na čip konfigurovaný jako dvojité uspořádání tranzistorů, které poskytují funkce P- a N-kanálu.
Jaké normy a shoda materiálů jsou uvedeny?
Součást je v souladu s RoHS a je vyrobena z materiálů odpovídajících normě IEC 61249‐2‐21.
Související odkazy
- AEC-Q101 Typ N-kanálový 2.3 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q101 Typ N-kanálový 1.5 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q101 TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon
- AEC-Q101 Typ P-kanálový 1.5 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q101 Typ N-kanálový 1.5 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení 2
- AEC-Q101 TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SI3993CDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.3 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový Vishay
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový