MPN

Výkonový MOSFET ZXMHC3A01T8TA Typ P, Typ N-kanálový 3.1 A 30 V, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný

Skladové číslo RS:: 823-1877
Výrobní číslo:: ZXMHC3A01T8TA
Výrobce:: DiodesZetex

Výkonový MOSFET ZXMHC3A01T8TA Typ P, Typ N-kanálový 3.1 A 30 V, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*

195,62 Kč

(bez DPH)

236,70 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

860 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
5 - 10	39,124 Kč	195,62 Kč
15 - 45	35,212 Kč	176,06 Kč
50 +	31,30 Kč	156,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 823-1877
Výrobní číslo:: ZXMHC3A01T8TA
Výrobce:: DiodesZetex

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	DiodesZetex
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	Typ P, Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	3.1A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	330mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.7W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	3.9nC
	Přímé napětí Vf	0.95V
	Konfigurace tranzistoru	Úplný můstek
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Šířka	3.7mm
	Délka	6.7mm
	Normy/schválení	MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020
	Výška	1.6mm
	Počet prvků na čip	4
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka DiodesZetex
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu Typ P, Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.1A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 330mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.7W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.9nC
	Přímé napětí Vf 0.95V
	Konfigurace tranzistoru Úplný můstek
	Maximální provozní teplota +150°C
	Šířka 3.7mm
	Délka 6.7mm
	Normy/schválení MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020
	Výška 1.6mm
	Počet prvků na čip 4
	Automobilový standard Ne

Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

Tranzistory MOSFET, Diode Inc.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.