Výkonový MOSFET ZXMHC6A07T8TA Typ N, Typ P-kanálový 1.8 A 60 V, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný
- Skladové číslo RS:
- 669-7461
- Výrobní číslo:
- ZXMHC6A07T8TA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*
106,95 Kč
(bez DPH)
129,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 21. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 53,475 Kč | 106,95 Kč |
| 10 - 48 | 45,695 Kč | 91,39 Kč |
| 50 - 248 | 43,72 Kč | 87,44 Kč |
| 250 - 498 | 36,185 Kč | 72,37 Kč |
| 500 + | 33,10 Kč | 66,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 669-7461
- Výrobní číslo:
- ZXMHC6A07T8TA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 425mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.2nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.7W | |
| Přímé napětí Vf | 0.85V | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Úplný můstek | |
| Šířka | 3.7mm | |
| Délka | 6.7mm | |
| Normy/schválení | J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| Výška | 1.6mm | |
| Počet prvků na čip | 4 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 425mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.2nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.7W | ||
Přímé napětí Vf 0.85V | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Úplný můstek | ||
Šířka 3.7mm | ||
Délka 6.7mm | ||
Normy/schválení J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
Výška 1.6mm | ||
Počet prvků na čip 4 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- DE
Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- Výkonový MOSFET Typ N počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek
- Výkonový MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek
- Výkonový MOSFET ZXMHC3A01T8TA Typ P počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný
- Výkonový MOSFET Typ P počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek
- MOSFET ZXMHC10A07N8TC Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný
- Výkonový MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek
- MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek
- AEC-Q101 MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek