Výkonový MOSFET Typ P, Typ N-kanálový 4.98 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek
- Skladové číslo RS:
- 122-1424
- Výrobní číslo:
- ZXMHC3F381N8TC
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
30 427,50 Kč
(bez DPH)
36 817,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 22 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 12,171 Kč | 30 427,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 122-1424
- Výrobní číslo:
- ZXMHC3F381N8TC
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.98A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.82V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.35W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Úplný můstek | |
| Normy/schválení | RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Délka | 5mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Počet prvků na čip | 4 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.98A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.82V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.35W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Úplný můstek | ||
Normy/schválení RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Délka 5mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Počet prvků na čip 4 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- Výkonový MOSFET ZXMHC3F381N8TC Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4
- Výkonový MOSFET Typ P počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek
- Výkonový MOSFET Typ N počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek
- MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek
- Výkonový MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek
- AEC-Q101 MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek
- Výkonový MOSFET ZXMHC6A07T8TA Typ N počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný
- Výkonový MOSFET ZXMHC3A01T8TA Typ P počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný