MPN

MOSFET Typ P, Typ N-kanálový 850 mA 100 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek

Skladové číslo RS:: 122-1421
Výrobní číslo:: ZXMHC10A07N8TC
Výrobce:: DiodesZetex

MOSFET Typ P, Typ N-kanálový 850 mA 100 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

33 805,00 Kč

(bez DPH)

40 905,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 14. ledna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	13,522 Kč	33 805,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 122-1421
Výrobní číslo:: ZXMHC10A07N8TC
Výrobce:: DiodesZetex

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	DiodesZetex
	Typ kanálu	Typ P, Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	850mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	SOIC
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	1.45mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	0.95V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.36W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	2.9nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Konfigurace tranzistoru	Úplný můstek
	Výška	1.5mm
	Délka	5mm
	Normy/schválení	RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Šířka	4mm
	Počet prvků na čip	4
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka DiodesZetex
	Typ kanálu Typ P, Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 850mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení SOIC
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 1.45mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 0.95V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.36W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.9nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota +150°C
	Konfigurace tranzistoru Úplný můstek
	Výška 1.5mm
	Délka 5mm
	Normy/schválení RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Šířka 4mm
	Počet prvků na čip 4
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

Tranzistory MOSFET, Diode Inc.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.