Výkonový MOSFET ZXMHC3F381N8TC Typ P, Typ N-kanálový 4.98 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*

155,31 Kč

(bez DPH)

187,93 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 24 335 jednotka(y) budou odesílané od 06. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2031,062 Kč155,31 Kč
25 - 12023,732 Kč118,66 Kč
125 - 62018,792 Kč93,96 Kč
625 - 124516,712 Kč83,56 Kč
1250 +15,22 Kč76,10 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
751-5344
Výrobní číslo:
ZXMHC3F381N8TC
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

Typ P, Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

4.98A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SOIC

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

80mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

0.82V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

9nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Maximální ztrátový výkon Pd

1.35W

Minimální provozní teplota

-55°C

Konfigurace tranzistoru

Úplný můstek

Maximální provozní teplota

+150°C

Výška

1.5mm

Délka

5mm

Šířka

4mm

Normy/schválení

RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020

Počet prvků na čip

4

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.


Tranzistory MOSFET, Diode Inc.


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.