MPN

Výkonový MOSFET ZXMHC3F381N8TC Typ P, Typ N-kanálový 4.98 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4

Skladové číslo RS:: 751-5344
Výrobní číslo:: ZXMHC3F381N8TC
Výrobce:: DiodesZetex

Výkonový MOSFET ZXMHC3F381N8TC Typ P, Typ N-kanálový 4.98 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

194,14 Kč

(bez DPH)

234,91 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Plus 24 390 jednotka(y) budou odesílané od 26. srpna 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
5 - 20	38,828 Kč	194,14 Kč
25 - 120	29,69 Kč	148,45 Kč
125 - 620	23,466 Kč	117,33 Kč
625 - 1245	20,946 Kč	104,73 Kč
1250 +	18,97 Kč	94,85 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 751-5344
Výrobní číslo:: ZXMHC3F381N8TC
Výrobce:: DiodesZetex

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	DiodesZetex
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	Typ P, Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	4.98A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	SOIC
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	80mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.35W
	Přímé napětí Vf	0.82V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	9nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Konfigurace tranzistoru	Úplný můstek
	Normy/schválení	RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020
	Délka	5mm
	Výška	1.5mm
	Počet prvků na čip	4
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka DiodesZetex
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu Typ P, Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.98A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení SOIC
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.35W
	Přímé napětí Vf 0.82V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 9nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Konfigurace tranzistoru Úplný můstek
	Normy/schválení RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020
	Délka 5mm
	Výška 1.5mm
	Počet prvků na čip 4
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

Tranzistory MOSFET, Diode Inc.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.