AEC, řada: NTF6P02 MOSFET NTF6P02T3G Typ P-kanálový 8.4 A 20 V onsemi, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 808-4138
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-45-677
- Výrobní číslo:
- NTF6P02T3G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
325,56 Kč
(bez DPH)
393,92 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 4 000 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 16,278 Kč | 325,56 Kč |
| 200 - 480 | 14,018 Kč | 280,36 Kč |
| 500 + | 12,165 Kč | 243,30 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 808-4138
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-45-677
- Výrobní číslo:
- NTF6P02T3G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Řada | NTF6P02 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 70mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 8.3W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.65mm | |
| Délka | 6.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Řada NTF6P02 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 70mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 8.3W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.65mm | ||
Délka 6.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC | ||
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- AEC SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTF MOSFET Typ P-kanálový 2.6 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NDT MOSFET Typ P-kanálový 5 A 30 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NDT MOSFET Typ P-kanálový 2.5 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 1 A 100 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NDT MOSFET Typ P-kanálový 7.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
