řada: NDT MOSFET Typ P-kanálový 2.5 A 60 V onsemi, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (4000 jednotky/-ek, v kotouči po 4000 ks)*

19 540,00 Kč

(bez DPH)

23 644,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za cívku*
4000 +4,885 Kč19 540,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
124-1725
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-65-550
Výrobní číslo:
NDT2955
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

SOT-223

Řada

NDT

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

300mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

11nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

-1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

3W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Šířka

3.56mm

Délka

6.5mm

Výška

1.6mm

Automobilový standard

Ne

Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor


Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.

Charakteristiky a výhody:


• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím

• TCS s vysokou hustotou

• Vysoký sytost proudu

• vynikající přepínání

• Velmi odolný a spolehlivý výkon

• Technologie DMOS

Aplikace:


• Přepínání zatížení

• DC/DC převodník

• Ochrana baterií

• Ovládání řízení spotřeby

• Ovládání motoru stejnosměrným proudem

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.