řada: NDT MOSFET NDT3055L Typ N-kanálový 4 A 60 V onsemi, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

130,91 Kč

(bez DPH)

158,40 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 85 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
  • Plus 145 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 25 915 jednotka(y) budou odesílané od 09. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4526,182 Kč130,91 Kč
50 - 9522,576 Kč112,88 Kč
100 - 49519,562 Kč97,81 Kč
500 - 99517,192 Kč85,96 Kč
1000 +15,66 Kč78,30 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-1090
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-43-740
Výrobní číslo:
NDT3055L
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

4A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

NDT

Typ balení

SOT-223

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

100mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

13nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

3W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-65°C

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

6.5mm

Normy/schválení

No

Výška

1.6mm

Šířka

3.56 mm

Automobilový standard

Ne

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor


Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy