řada: NDT MOSFET N-kanálový 2.8 A 60 V onsemi, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*

40 332,00 Kč

(bez DPH)

48 800,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za cívku*
4000 +10,083 Kč40 332,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
166-2837
Výrobní číslo:
NDT014L
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.8A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

NDT

Typ balení

SOT-223

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

360mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-65°C

Maximální ztrátový výkon Pd

3W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

3.6nC

Přímé napětí Vf

850mV

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

3.7mm

Délka

6.7mm

Normy/schválení

No

Výška

1.7mm

Automobilový standard

Ne

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor


Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy