řada: NDT MOSFET Typ P-kanálový 5 A 30 V onsemi, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 124-1726
Výrobní číslo:: NDT452AP
Výrobce:: onsemi

řada: NDT MOSFET Typ P-kanálový 5 A 30 V onsemi, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*

35 660,00 Kč

(bez DPH)

43 148,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 27. července 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
4000 +	8,915 Kč	35 660,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 124-1726
Výrobní číslo:: NDT452AP
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	5A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Řada	NDT
	Typ balení	SOT-223
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	65mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-65°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	3W
	Přímé napětí Vf	-1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	22nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Výška	1.6mm
	Délka	6.5mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Řada NDT
	Typ balení SOT-223
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 65mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -65°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 3W
	Přímé napětí Vf -1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 22nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Výška 1.6mm
	Délka 6.5mm
	Automobilový standard Ne

Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor

Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.

Charakteristiky a výhody:

• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím

• TCS s vysokou hustotou

• Vysoký sytost proudu

• vynikající přepínání

• Velmi odolný a spolehlivý výkon

• Technologie DMOS

Aplikace:

• Přepínání zatížení

• DC/DC převodník

• Ochrana baterií

• Ovládání řízení spotřeby

• Ovládání motoru stejnosměrným proudem

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.