AEC-Q101, řada: NVF6P02 MOSFET NVF6P02T3G Typ P-kanálový 8.4 A 20 V onsemi, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 805-1996
- Výrobní číslo:
- NVF6P02T3G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
245,02 Kč
(bez DPH)
296,47 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
V důsledku omezení v dodavatelském řetězci budou skladové zásoby přiděleny podle dostupnosti.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 24,502 Kč | 245,02 Kč |
| 100 - 240 | 21,143 Kč | 211,43 Kč |
| 250 - 490 | 18,327 Kč | 183,27 Kč |
| 500 - 990 | 16,104 Kč | 161,04 Kč |
| 1000 + | 14,647 Kč | 146,47 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 805-1996
- Výrobní číslo:
- NVF6P02T3G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | NVF6P02 | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 70mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 8.3W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 3.7mm | |
| Délka | 6.7mm | |
| Výška | 1.65mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada NVF6P02 | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 70mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 8.3W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 3.7mm | ||
Délka 6.7mm | ||
Výška 1.65mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 6.3 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET FDT439N N-kanálový 6.3 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTF3055-100T1G N-kanálový 3 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NDT451AN MOSFET N-kanálový 7.2 A 30 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 3 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
