MPN

MOSFET NTB6411ANT4G N-kanálový 77 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

469,70 Kč

(bez DPH)

568,30 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

*orientační cena

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	77 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	100 V
	Typ balení	D2PAK (TO-263)
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	14 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
	Maximální ztrátový výkon	217 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Počet prvků na čip	1
	Délka	10.29mm
	Šířka	9.65mm
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	100 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	4.83mm

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 77 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 100 V
	Typ balení D2PAK (TO-263)
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 14 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V
	Maximální ztrátový výkon 217 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Počet prvků na čip 1
	Délka 10.29mm
	Šířka 9.65mm
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 100 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru Si
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 4.83mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.