MOSFET IRF640SPBF N-kanálový 18 A 200 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 541-2464
- Výrobní číslo:
- IRF640SPBF
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
57,30 Kč
(bez DPH)
69,33 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 57,30 Kč |
| 10 - 49 | 48,66 Kč |
| 50 - 99 | 45,70 Kč |
| 100 - 249 | 43,23 Kč |
| 250 + | 34,58 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 541-2464
- Výrobní číslo:
- IRF640SPBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 18 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 200 V | |
| Typ balení | D2PAK (TO-263) | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 180 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2V | |
| Maximální ztrátový výkon | 130 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 70 nC při 10 V | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Výška | 4.83mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 18 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 200 V | ||
Typ balení D2PAK (TO-263) | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 180 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V | ||
Maximální ztrátový výkon 130 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Délka 10.67mm | ||
Šířka 9.65mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 70 nC při 10 V | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 4.83mm | ||
Související odkazy
- MOSFET NTB6411ANT4G N-kanálový 77 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: QFETMOSFET FQB19N20LTM N-kanálový 21 A 200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET NP82N055PUG-E2-AZ N-kanálový 82 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET FQB47P06TM-AM002 P-kanálový 47 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S208ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S2L06ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S2L09ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S207ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si