řada: QFETMOSFET FQB19N20LTM N-kanálový 21 A 200 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 166-1750
- Výrobní číslo:
- FQB19N20LTM
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*
14 419,20 Kč
(bez DPH)
17 447,20 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 800 + | 18,024 Kč | 14 419,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 166-1750
- Výrobní číslo:
- FQB19N20LTM
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 21 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 200 V | |
| Řada | QFET | |
| Typ balení | D2PAK (TO-263) | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 140 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon | 3,13 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Délka | 10.67mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 27 nC při 5 V | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Výška | 4.83mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 21 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 200 V | ||
Řada QFET | ||
Typ balení D2PAK (TO-263) | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 140 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V | ||
Maximální ztrátový výkon 3,13 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Délka 10.67mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 27 nC při 5 V | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Šířka 9.65mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 4.83mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Související odkazy
- MOSFET IRF640SPBF N-kanálový 18 A 200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- IGBT FGB3040CS N-kanálový 21 A 430 V počet kolíků: 6 Jednoduchý
- MOSFET NTB6411ANT4G N-kanálový 77 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET FQB47P06TM-AM002 P-kanálový 47 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: NexFETMOSFET CSD18536KTTT N-kanálový 349 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- řada: PowerTrenchMOSFET FDB8447L N-kanálový 50 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET AUIRF2903ZS N-kanálový 235 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET AUIRF3205ZS N-kanálový 110 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
