řada: HEXFETMOSFET IRF4905SPBF P-kanálový 74 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS:: 650-3678
Výrobní číslo:: IRF4905SPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFETMOSFET IRF4905SPBF P-kanálový 74 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Skladové číslo RS:: 650-3678
Výrobní číslo:: IRF4905SPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	74 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	55 V
	Series	HEXFET
	Typ balení	D2PAK (TO-263)
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	20 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Maximální ztrátový výkon	3.8 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	180 nC při 10 V
	Šířka	8.81mm
	Materiál tranzistoru	Si
	Délka	10.54mm
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Počet prvků na čip	1
	Výška	4.69mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 74 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 55 V
	Series HEXFET
	Typ balení D2PAK (TO-263)
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 20 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Maximální ztrátový výkon 3.8 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 180 nC při 10 V
	Šířka 8.81mm
	Materiál tranzistoru Si
	Délka 10.54mm
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Počet prvků na čip 1
	Výška 4.69mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Země původu (Country of Origin):: MX

MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 70 A, maximální ztrátový výkon 170 W - IRF4905STRLPBF

Tento vysokoproudový tranzistor MOSFET je vhodný pro různé aplikace v automatizaci a elektronice. S maximálním trvalým proudem na drenážích 70 A pracuje při napětí na drenážích až 55 V. Konfigurace v režimu vylepšení splňuje požadavky na výkon a nízká hodnota RDS(on) maximalizuje energetickou účinnost. Tento tranzistor MOSFET je určen pro aplikace s vysokým výkonem a vyznačuje se tepelnou stabilitou, takže je vhodný pro náročné provozní podmínky.

Vlastnosti a výhody

• Zlepšuje účinnost systému díky nízkým hodnotám zapínacího odporu

• Účinně funguje v teplotním rozsahu od -55 °C do +150 °C

• Podpora rychlého přepínání pro zvýšení výkonu

• Robustní konstrukce pro opakované lavinové situace

• Dodává se v pouzdře D2PAK TO-263 pro jednoduchou povrchovou montáž

Aplikace

• Používá se v systémech řízení napájení a měničích

• Vhodné pro řízení motoru vyžadující vysokou účinnost

• Integrované do spínaných napájecích zdrojů pro zvýšení výkonu

• Použitelné v automobilovém průmyslu, kde je potřeba spolehlivé řízení

• Použití v průmyslové automatizaci vyžadující značný výkon

Při jaké maximální teplotě může zařízení pracovat?

Přístroj má maximální provozní teplotu +150 °C, což zajišťuje stabilitu v různých podmínkách prostředí.

Jaký přínos má nízká hodnota RDS(on) pro návrh obvodu?

Nízké RDS(on) minimalizuje ztráty vedením, zvyšuje celkovou účinnost obvodu a umožňuje chladnější provoz.

Zvládne tato součástka pulzní proudy?

Ano, je schopen zvládat pulzní proudy až 280 A, takže je vhodný pro dynamické aplikace.

Jaké jsou klíčové parametry pro výběr kompatibilních řídicích napětí?

Napětí mezi hradlem a zdrojem by mělo zůstat v rozmezí -20 V až +20 V, aby byl zaručen efektivní provoz bez rizika poškození.

Je vhodný pro vysokofrekvenční spínací aplikace?

Zařízení je navrženo pro rychlé spínání, takže je vhodné pro vysokofrekvenční operační funkce v elektronických obvodech.