řada: HEXFETMOSFET AUIRF2903ZS N-kanálový 235 A 30 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 165-7675
- Výrobní číslo:
- AUIRF2903ZS
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 165-7675
- Výrobní číslo:
- AUIRF2903ZS
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 235 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 30 V | |
| Series | HEXFET | |
| Typ balení | D2PAK (TO-263) | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 2,4 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2V | |
| Maximální ztrátový výkon | 231 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 160 nC při 10 V | |
| Délka | 10.67mm | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Výška | 4.83mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 235 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V | ||
Series HEXFET | ||
Typ balení D2PAK (TO-263) | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 2,4 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V | ||
Maximální ztrátový výkon 231 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 160 nC při 10 V | ||
Délka 10.67mm | ||
Šířka 9.65mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 4.83mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
Související odkazy
- řada: HEXFETMOSFET AUIRF3205ZS N-kanálový 110 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF3805S-7PPBF N-kanálový 240 A 55 V počet kolíků: 7 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF9540NSPBF P-kanálový 23 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF4905SPBF P-kanálový 74 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET IRF640SPBF N-kanálový 18 A 200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET NTB6411ANT4G N-kanálový 77 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: STripFET F3MOSFET STB70NF3LLT4 N-kanálový 70 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: NexFETMOSFET CSD18536KTTT N-kanálový 349 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý