MPN

řada: STripFET F3MOSFET STB70NF3LLT4 N-kanálový 70 A 30 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	STMicroelectronics
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	70 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	30 V
	Řada	STripFET F3
	Typ balení	D2PAK (TO-263)
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	12 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1V
	Maximální ztrátový výkon	100 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-16 V, +16 V
	Počet prvků na čip	1
	Šířka	10.4mm
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Délka	10.75mm
	Materiál tranzistoru	Si
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	24 nC při 4,5 V
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	4.6mm

	Vybrat vše
	Značka STMicroelectronics
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 70 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V
	Řada STripFET F3
	Typ balení D2PAK (TO-263)
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 12 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V
	Maximální ztrátový výkon 100 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -16 V, +16 V
	Počet prvků na čip 1
	Šířka 10.4mm
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Délka 10.75mm
	Materiál tranzistoru Si
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 24 nC při 4,5 V
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 4.6mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.