řada: NexFETMOSFET CSD18536KTTT N-kanálový 349 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 168-4939
- Výrobní číslo:
- CSD18536KTTT
- Výrobce:
- Texas Instruments
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 168-4939
- Výrobní číslo:
- CSD18536KTTT
- Výrobce:
- Texas Instruments
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Texas Instruments | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 349 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 60 V | |
| Řada | NexFET | |
| Typ balení | D2PAK (TO-263) | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 2,2 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 2.2V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1.4V | |
| Maximální ztrátový výkon | 375 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Délka | 10.67mm | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Šířka | 11.33mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 230 nC při 10 V | |
| Propustné napětí diody | 1V | |
| Výška | 4.83mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Texas Instruments | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 349 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V | ||
Řada NexFET | ||
Typ balení D2PAK (TO-263) | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 2,2 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.2V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1.4V | ||
Maximální ztrátový výkon 375 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Délka 10.67mm | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Šířka 11.33mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 230 nC při 10 V | ||
Propustné napětí diody 1V | ||
Výška 4.83mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
Související odkazy
- MOSFET FQB47P06TM-AM002 P-kanálový 47 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET CSD18536KTTT Typ N-kanálový 200 A 60 V Texas Instruments počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET IRF640SPBF N-kanálový 18 A 200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET NTB6411ANT4G N-kanálový 77 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: NexFETMOSFET CSD18563Q5AT N-kanálový 100 A 60 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: NexFETMOSFET CSD18537NKCS N-kanálový 54 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: NexFETMOSFET CSD16340Q3 N-kanálový 60 A 25 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF4905SPBF P-kanálový 74 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si