řada: NexFETMOSFET CSD18537NKCS N-kanálový 54 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 145-6646
- Výrobní číslo:
- CSD18537NKCS
- Výrobce:
- Texas Instruments
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 145-6646
- Výrobní číslo:
- CSD18537NKCS
- Výrobce:
- Texas Instruments
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Texas Instruments | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 54 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 60 V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | NexFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 18 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 3.5V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2.6V | |
| Maximální ztrátový výkon | 79 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Délka | 10.67mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 14 nC při 10 V | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Šířka | 4.7mm | |
| Výška | 16.51mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Texas Instruments | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 54 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada NexFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 18 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 3.5V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.6V | ||
Maximální ztrátový výkon 79 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Délka 10.67mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 14 nC při 10 V | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Šířka 4.7mm | ||
Výška 16.51mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Související odkazy
- řada: NexFETMOSFET CSD19534KCS N-kanálový 100 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: NexFETMOSFET CSD16340Q3 N-kanálový 60 A 25 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: NexFETMOSFET CSD18563Q5AT N-kanálový 100 A 60 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: NexFETMOSFET CSD18536KTTT N-kanálový 349 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- řada: NexFETMOSFET CSD17308Q3 N-kanálový 47 A 30 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: NexFETMOSFET CSD17573Q5BT N-kanálový 43 A 30 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: STripFETMOSFET STP80NF06 N-kanálový 80 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: STripFETMOSFET STP20NF06L N-kanálový 20 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si