MPN

řada: NexFETMOSFET CSD19534KCS N-kanálový 100 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Texas Instruments
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	100 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	100 V
	Typ balení	TO-220
	Řada	NexFET
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	20 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon	118 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Počet prvků na čip	1
	Šířka	4.7mm
	Délka	10.67mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	17,1 nC při 0 V
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Materiál tranzistoru	Si
	Propustné napětí diody	1.1V
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	16.51mm

	Vybrat vše
	Značka Texas Instruments
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 100 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 100 V
	Typ balení TO-220
	Řada NexFET
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 20 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon 118 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Počet prvků na čip 1
	Šířka 4.7mm
	Délka 10.67mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 17,1 nC při 0 V
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Materiál tranzistoru Si
	Propustné napětí diody 1.1V
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 16.51mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.