řada: 2N7000 MOSFET N-kanálový 200 mA 60 V onsemi, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 671-4733P
- Výrobní číslo:
- 2N7000
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 200 jednotky/-ek (dodává se v sáčku)*
2 242,80 Kč
(bez DPH)
2 713,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 240 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 10 000 jednotka(y) budou odesílané od 25. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 200 - 480 | 11,214 Kč |
| 500 + | 9,979 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 671-4733P
- Výrobní číslo:
- 2N7000
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 200mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | 2N7000 | |
| Typ balení | TO-92 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.88V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 400mW | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.19mm | |
| Výška | 5.33mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 200mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada 2N7000 | ||
Typ balení TO-92 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.88V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 400mW | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.19mm | ||
Výška 5.33mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor
Lavina odolná technologie
Odolná technologie oxidu hradla
Nižší vstupní kapacitance
Vylepšené plnění zadní výklopné stěny
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: 2N7000 MOSFET 2N7000 Typ N-kanálový 200 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 2N7000 MOSFET 2N7000-D26Z Typ N-kanálový 200 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 2N7000 MOSFET Typ N-kanálový 200 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 2N7000 MOSFET 2N7000TA Typ N-kanálový 200 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 2N7000 MOSFET 2N7000-G Typ N-kanálový 200 mA 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 2N7000 MOSFET Typ N-kanálový 200 mA 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: BS170 MOSFET Typ N-kanálový 500 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: BS170 MOSFET BS170 Typ N-kanálový 500 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení