řada: 2N7000 MOSFET 2N7000TA N-kanálový 200 mA 60 V onsemi, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 124-1310
- Výrobní číslo:
- 2N7000TA
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*
5 006,00 Kč
(bez DPH)
6 058,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 4 000 jednotka(y) budou odesílané od 15. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2000 - 4000 | 2,503 Kč | 5 006,00 Kč |
| 6000 + | 2,378 Kč | 4 756,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-1310
- Výrobní číslo:
- 2N7000TA
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 200mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-92 | |
| Řada | 2N7000 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 400mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -30V, +30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Přímé napětí Vf | 880mV | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.2mm | |
| Šířka | 4.19mm | |
| Výška | 5.33mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 200mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-92 | ||
Řada 2N7000 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 400mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -30V, +30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Přímé napětí Vf 880mV | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.2mm | ||
Šířka 4.19mm | ||
Výška 5.33mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: 2N7000 MOSFET 2N7000 N-kanálový 200 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 2N7000 MOSFET 2N7000-D26Z N-kanálový 200 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 2N7000 MOSFET N-kanálový 200 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 2N7000 MOSFET Typ N-kanálový 200 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 2N7000 MOSFET 2N7000-G N-kanálový 200 mA 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 2N7000 MOSFET N-kanálový 200 mA 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET 2N7000TA N-kanálový 200 mA 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 92 A 150 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení