řada: 2N7000 MOSFET Typ N-kanálový 200 mA 60 V Microchip, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 177-9588
Výrobní číslo:: 2N7000-G
Výrobce:: Microchip

řada: 2N7000 MOSFET Typ N-kanálový 200 mA 60 V Microchip, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 sáček po 1000 kusech)*

8 240,00 Kč

(bez DPH)

9 970,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

2 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	Za Sáček*
1000 +	8,24 Kč	8 240,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 177-9588
Výrobní číslo:: 2N7000-G
Výrobce:: Microchip

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Microchip
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	200mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	2N7000
	Typ balení	TO-92
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	5.3Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	0.85V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	1W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	5.08mm
	Výška	5.33mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Microchip
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 200mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada 2N7000
	Typ balení TO-92
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 5.3Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 0.85V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 1W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 5.08mm
	Výška 5.33mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Země původu (Country of Origin):: TW

Technologie Microchip MOS

Technologie Microchip pro montáž do otvoru, N-channel MOSFET je nový věkový produkt s napětím zdroje vypouštění 60 V a maximálním zdrojovým napětím hradla 30 V. Odpor zdroje vypouštění je 5 ohmů při zdrojovém napětí hradla 10 V. Má plynulý vypouštěcí proud 200 mA a maximální rozptyl výkonu 1 W. Minimální a maximální budicí napětí pro tento MOSFET je 4,5 V a 10 V. MOSFET je režim vylepšení (normálně vypnutý) MOSFET, který využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces silikonových hradel. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení je pro všechny technicky náročné konstrukce MOS bez teplotního rozběhu a tepelně vyvolané druhotné poruchy. Tento vertikální DMOS FET byl optimalizován pro nižší ztráty spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• Soutěž

• Vynikající tepelná stabilita

• Bez sekundárního členění

• Vysoká vstupní impedance a vysoké zesílení

• Integrovaná dioda pro odvádění vody

• Nízká rychlost otáčení a rychlé přepínání

• Požadavek jednotky s nízkým výkonem

• Provozní teplota se pohybuje mezi -55 °C a 150 °C.

Aplikace

• Zesilovače

• Konvertory

• Ovladače: Relé, kladiva, elektromagnetické ventily, lampy, paměti, displeje, bipolární tranzistory atd.

• Ovládání motorů

• Elektrické obvody napájení

• Spínače

Osvědčení

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC